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制作碳化硅设备
制作碳化硅设备
什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
2023年6月22日 碳化硅是怎么制成的？ 最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 2023年9月27日 SiC晶圆制造特定工艺带来特定设备的需求，主要包括高温离子注入机、高温退火炉、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC衬底和外延片表 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关
一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介 2023年2月15日 摘要 碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新 化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 电子工程专辑 EE
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国
2022年3月22日 SiC 碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅 元素组成的一种化合物半导体材料。 相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁 带宽度是硅的 3 倍；导热率为硅的 45 2023年2月26日 碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023
先进碳化硅技术，助力简化半导体设备设计 Wolfspeed
2022年4月20日 先进碳化硅技术，助力简化半导体设备设计 Apr 20, 2022 English 半导体制造和组装厂遍布全球，其运行电网电压多种多样。 为服务于全球市场，针对此类应用 2023年2月27日 1、碳化硅是制作大功率、高频、低损耗功率器件的最佳材料 与硅基半导体材料相比，碳化硅具备能量损耗低、封装尺寸更小、可实现高频开关以及耐高温、散热 开源证券：关注碳化硅设备国产化突破和加速
一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。 离子注入是一种向半导体材料内部加入特 2023年2月1日 SiC碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。 相比传统的硅材 料（Si），碳化硅（SiC）的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的45倍；击穿电压为硅的810倍；电子饱和漂移速率为硅 2022年 中国SiC碳化硅器件行业 深度研究报告 East Money
碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关
2023年9月27日 但由于碳化硅材料特性的不同，厂商在晶圆制造过程中需要特定的设备以及开发特定的工艺，无法与过去的硅制程设备、工艺完全通用，因此当前SiC晶圆制造产能紧缺。SiC晶圆制造特定工艺与Si工艺的一些差异点主要在于： （1）光刻对准。2023年5月21日 采用PTV法生长碳化硅晶体的设备为长晶炉，该设备在保证满足设计技术要求基础上，还要注意到长晶炉部件在碳化硅晶体生长中经历的苛刻条件，例如：晶体生长室及石墨坩埚等热场核心组件需具备承受2500℃高温的能力；长晶炉加工制作工艺的精密要 造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？工艺碳化硅中国
一种间距可调的碳化硅外延设备感应加热装置CNA
2021年9月15日 2根据权利要求1所述的间距可调的碳化硅外延设备感应加热装置，其特征在于，所述调节组件包括支撑杆 (4)、连接片 (11)、第 本专利由中国电子科技集团公司第四十八研究所申请，公开，本发明公开了一种间距可调的碳化硅外延设备感应加热装 2023年2月26日 关注碳化硅设备国产化突破和加速 ——行业周报 孟鹏飞（分析师） 熊亚威（分析师） 证书编号：S01 证书编号：S04 碳化硅是制作大功率、高频、低损耗功率器件的最佳材料行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023
机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速
2023年2月27日 机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速 碳化硅是制作大功率、高频、低损耗功率器件的最佳材料 与硅基半导体材料相比，碳化硅具备能量损耗低、封装尺寸更小、可实现高频开关以及耐高温、散热能力强的突出优势，适合制作高温、高频、抗 2023年7月7日 碳化硅介绍：三种SiC衬底制作方法对比碳化硅的禁带宽度是硅的23倍，在高温下电子不易发生跃迁，可耐受更高的工作温度，且碳化硅的热导率是硅的45倍，使得器件散热更容易，极限工作温度更高。耐高温特性可以显著提升功率密度，同时降低对散热系统的要求，使终端更加轻量和小型化。碳化硅介绍：三种SiC衬底制作方法对比 模拟技术 电子
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2022年3月2日 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。 核心分为以下三代： 1) 代元素半导体材料：硅（Si）和锗 (Ge)；为半 2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
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2020年5月1日 本发明涉及碳化硅外延生长技术领域，尤其涉及一种多片装载的碳化硅外延生长设备。背景技术碳化硅外延生长是指在碳化硅衬底上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外 一种多片装载的碳化硅外延生长设备的制作方法 X
碳化硅外延设备产品与技术纳设智能官方网站 Naso Tech
碳化硅化学气相沉积外延设备 碳化硅外延设备属半导体设备领域，占据第三代半导体产业链上游关键环节。 我司碳化硅外延设备采用自主创新的结构设计，同时兼容6英寸、4英寸外延片生长，是一款工艺指标优异、耗材成本低、维护频率低的中国首台完全自主 2023年6月22日 碳化硅晶片生产的这两种方法都需要大量的能源、设备和知识才能成功。 碳化硅的用途是什么？SiC 的优点 过去，制造商在高温环境下将碳化硅用于轴承、加热机械部件、汽车制动器甚至磨刀工具等设备。在电子和半导体应用中，SiC 的优势主要包括：什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2022年3月22日 SiC 碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅 元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料（Si 2013年12月25日 1一种研磨设备中碳化硅研磨桶的制造方法，其特征在于:包括以下步骤: 1)、配料 将碳化硅加入反应催化剂和添加剂，边搅拌边加水，搅拌均匀成浆状或粉状物料； 2)、素坯成型 将浆状或粉状物料采用模具通过注浆成型或静压成型等生产出相应规格大小的 一种研磨设备中碳化硅研磨桶的制造方法 X技术网
一种碳化硅晶体位错增强检测设备的制作方法
2022年1月15日 1本实用新型实施例涉及半导体材料衬底片检测技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体位错增强检测设备。背景技术： 2碳化硅衬底片晶体材料会在生长过程中产生晶体位错，从而影响到器件良率。 因此行业里会采用衬底片腐蚀的方法来呈现晶体位错(位错的地方会呈现出一个个腐蚀坑)，便于视觉检测。2023年9月14日 SiC：需求乘“车”而起，材料设备商迎国产化机遇 2 1、关键假设、驱动因素及主要预测 关键假设： 1）新能源汽车渗透率持续提升，SiC迎来上车导入期；2）国产材料商、设备商市场份额逐步提升。驱动因素： 1）新能源汽车渗透率持续提升，我们预计未来三年全球装机量CAGR约30%。碳化硅设备行业深度报告： S i C 东风已来，关注衬底与外延
知乎 有问题，就会有答案
2023年4月26日 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，碳化硅衬底切片设备加速国产化。碳化硅材料兼具高性能+低损耗优势，晶体生长和切割是产业化瓶颈。优势：1）高性能：碳化硅相比硅有四大优势：大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场，做成的器件对应有四高性能：高功率、高频率、高温和 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，碳化硅衬底切片设备
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2023年11月3日 宇晶股份近期接受投资者调研时称，碳化硅是第三代半导体材料代表之一，碳化硅是一种高性能的磨料，具有高硬度、高强度、高耐磨性、高耐腐蚀性、高热稳定性等特点，其材料加工难度大，制作成本高。近年来，公司加大对碳化硅切、磨、抛关键技术的攻克，设备的精度已经达到行业一流水平 宇晶股份：目前公司生产的碳化硅切、磨、抛设备已实现批量
碳化硅外延片制备技术pdf原创力文档
2020年11月21日 碳化硅外延片制备技术pdf,碳化硅外延片制备技术 1、 前言 碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型 单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用 PVT 方法，温度高达 2000 多度，且加工周期比较 长，产出比较低，因而碳化硅衬底的 制作碳化硅芯片的工wkbaidu流程 碳化硅芯片是一种新型的半导体材料，具有高温、高压、高频等特点，被广泛应用于电力电子、汽车电子、通信设备等领域。下面将介绍制作碳化硅芯片的详细工艺流程。 一、基板制备 1 选择合适的基板材料：常用的基板制作碳化硅芯片的工艺流程 百度文库
碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 艾邦半导体网
4 天之前 本文以研究第三代半导体碳化硅衬底磨抛加工 技术为目的，综述了机械磨抛技术、化学反应磨抛技 术的进展 根据去除机理的不同，划分并总结现有磨 抛技术的特点：传统机械磨抛拥有较高的材料去除 率，但是其加工质量较差，且损伤严重；而化学腐蚀 反应磨 2011年10月22日 选矿设备的耐磨衬里采用碳化硅制作 关晓《砖瓦世界》1984[####]正 在选矿过程中,按工艺系统输送矿石时,所选用的水力旋流器、矿浆分离器、管路以及泵等各种设备均会受到严重磨损。 因此,一般在上述设备中覆盖一层耐磨衬里。而目前 制作碳化硅设备厂家/价格采石场设备网
SiC刻蚀环——半导体等离子刻蚀机的关键部件 艾邦半导体网
图 固体碳化硅聚焦环，来源：东海碳素 在半导体设备用碳化硅零部件领域，行业内企业一般均采用化学气相沉积（CVD）法进行生产。 通常聚焦环是通过气相沉积的方法将化学反应生成的碳化硅沉积成一定的形状，然后根据具体使用条件，将呈一定形状的碳化硅进行机械加工 2023年12月4日 这样的外延片用于制造功率器件，可以极大提高器件的参数稳定性和良率。比如用于制作碳化硅功率器件时，会在导电型4HSiC衬底上同质生长一层4HSiC单晶外延，成为碳化硅外延片，厚的外延层、好的表面形貌、较低的掺杂浓度有利于提高器件的击穿电 碳化硅外延工艺及外延设备
碳化硅晶体生长设备的制作方法 X技术网
本发明涉及一种用于PVT法生长碳化硅晶体的碳化硅晶体生长设备。背景技术碳化硅(SiC)单晶具有高导热率、高击穿电压、载流子迁移率极高、化学稳定性很高等优良的半导体物理性质，可以制作成在高温、强辐射条件下工作的高频、高功率电子器件和光电子器件，在国防、高科技、工业生产、供电 2020年8月21日 碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热与耦合技术。 当前国外主要厂商包括Cree、Aymont等 高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学
国内SiC碳化硅衬底20强 艾邦半导体网
国内SiC碳化硅衬底20强 SiC碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。 在碳化硅产业链中，碳化硅衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节，是未来碳化硅大规模产业化 知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
一种电阻法碳化硅长晶设备的制作方法 X技术网
2019年7月10日 本发明涉及碳化硅制备领域，特别涉及一种电阻法碳化硅长晶设备。背景技术碳化硅晶体结晶工艺就是将高纯碳化硅原料在坩埚中升华，气化，在特定籽晶上重新完成结晶、扩径和退火处理等程序最终得到 2023年8月2日 高纯单晶硅材料制作的硅部件在刻蚀工艺中对集成电路制造的影响更小，因此更多的应用于先进制程(7nm、5nm)的刻蚀设备中。 对于制程要求不高的集成电路制造，晶圆厂普遍采用多晶硅材料制作的硅部件，由于生产工艺的不同，同尺寸下直拉法生产的单晶硅材料成本高于铸锭法生产的多晶硅材料。半导体硅部件行业受益于新应用场景带来的强劲需求制造
第三代半导体器件制备关键环节：外延（上） 联盟动态
2021年10月21日 苹果上架首款GaN充电器，GaN快充时代已来 下一篇： 第三代半导体器件制备关键环节：外延（下） 平等、合作、互助、互惠 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 京ICP备号 以碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN)为代表的第三代半导体材料，由于其宽带隙、高电子 2024年5月3日 碳化硅器件制造的工艺流程 碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。 不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升级便可满足碳化硅器件的制造需求。 而碳化硅材料的特殊 SiC碳化硅器件制造那些事儿电子工程专辑
一种用于碳化硅外延设备的液态源物质鼓泡器及供气系统的
2023年7月25日 本申请涉及碳化硅化学气相沉积设备，具体的涉及一种用于碳化硅外延设备的液态源物质鼓泡器及供气系统。背景技术： 1、碳化硅外延设备常用的液态源物质，包括三氯氢硅(trichlorosilane,tcs)，其以液态形式存储、运输、补充添加，在外延工艺过程中需要以气态形式参与到工艺反应过程。2020年11月20日 各种碳化硅长晶方法优缺点 碳化硅晶体生长领域国内长晶工艺比较成熟的公司主要有：山东天岳、天科合达、北电新材（三安集成）、河北同光、东尼电子、中电化合物、中电二所、中科钢研等。 在碳化硅单晶生长设备制造领域，国外主要有德国PVA、日本日新技研、美国GT公司，国内具有批量生产 三种碳化硅的主要制备方法 电子发烧友网
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化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 摘要 碳化硅 (SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的 化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展【维普期刊官网
一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。 离子注入是一种向半导体材料内部加入特 2023年2月1日 SiC碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。 相比传统的硅材 料（Si），碳化硅（SiC）的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的45倍；击穿电压为硅的810倍；电子饱和漂移速率为硅 2022年 中国SiC碳化硅器件行业 深度研究报告 East Money
碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关
2023年9月27日 但由于碳化硅材料特性的不同，厂商在晶圆制造过程中需要特定的设备以及开发特定的工艺，无法与过去的硅制程设备、工艺完全通用，因此当前SiC晶圆制造产能紧缺。SiC晶圆制造特定工艺与Si工艺的一些差异点主要在于： （1）光刻对准。2023年5月21日 采用PTV法生长碳化硅晶体的设备为长晶炉，该设备在保证满足设计技术要求基础上，还要注意到长晶炉部件在碳化硅晶体生长中经历的苛刻条件，例如：晶体生长室及石墨坩埚等热场核心组件需具备承受2500℃高温的能力；长晶炉加工制作工艺的精密要 造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？工艺碳化硅中国
一种间距可调的碳化硅外延设备感应加热装置CNA
2021年9月15日 1一种间距可调的碳化硅外延设备感应加热装置，所述加热装置装设在碳化硅外延设备内部，其特征在于，包括：承重杆(1)、安装板(2)以及用于加热的螺旋感应线圈(7)，所述安装板(2)的两端分别与承重杆(1)连接，所述螺旋感应线圈(7)的两端分别与安装板(2)连接，所述螺旋感应线圈(7)整体在承重杆(1)上 2023年2月26日 关注碳化硅设备国产化突破和加速 ——行业周报 孟鹏飞（分析师） 熊亚威（分析师） 证书编号：S01 证书编号：S04 碳化硅是制作大功率、高频、低损耗功率器件的最佳材料行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023
机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速
2023年2月27日 机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速 碳化硅是制作大功率、高频、低损耗功率器件的最佳材料 与硅基半导体材料相比，碳化硅具备能量损耗低、封装尺寸更小、可实现高频开关以及耐高温、散热能力强的突出优势，适合制作高温、高频、抗 2023年7月7日 碳化硅介绍：三种SiC衬底制作方法对比碳化硅的禁带宽度是硅的23倍，在高温下电子不易发生跃迁，可耐受更高的工作温度，且碳化硅的热导率是硅的45倍，使得器件散热更容易，极限工作温度更高。耐高温特性可以显著提升功率密度，同时降低对散热系统的要求，使终端更加轻量和小型化。碳化硅介绍：三种SiC衬底制作方法对比 模拟技术 电子
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2022年3月2日 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。 核心分为以下三代： 1) 代元素半导体材料：硅（Si）和锗 (Ge)；为半 2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺