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sIc的粉碎
sIc的粉碎
碳化硅的制备方法
2020年7月20日 碳化硅粉体的制备方法有多种，按初始原料的物质状态大致可分为固相法、液相法和气相法三种方法，具体如下： 1、固相法 固相法是利用两种或两种以上的固相 2021年5月7日 结果表明：机械粉碎法适合制备粒径小于200 nm的βSiC纳米产品，产品粒度最小可达30 nm；砂磨时间越长，产物粒度越细，粒度分布越窄，产品的球形度越好；β 机械粉碎法制备βSiC纳米粉体及其特性分析
碳化硅，为什么要把“表面工作”做好？要闻资讯中
2021年2月25日 中国粉体网讯 碳化硅是一种人工合成的强共价键型碳化物，是一种新型的工程陶瓷材料。 碳化硅陶瓷因具有高温强度大、抗氧化性强、耐磨损性好、热稳定性佳、热膨胀系数小、热导率大、硬度高以及抗 2020年3月24日 研究表明，SiC粉体的纯度以及其他参数如粒度和晶型等对PVT法生长SiC单晶晶体质量乃至后续制作的器件质量都有一定影响。本文主要针对PVT法生长单晶用高 高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述
碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
碳化硅 (SiC)俗称金刚砂，在地球上仅地幔中存在少量的SiC晶体 [ 1 ]。 SiC具有多种优良性质，如抗氧化性较强、高热传导性、热稳定性突出、热膨胀系数较小、抗机械性冲击性好 2014年9月30日 本文介绍了工业制备SiC的方法,以及近年来国内外生SiC的新工艺及超细粉碎制备SiC粉体技术,展望了SiC工业制备的发展趋势工业制备SiC方法法及其发展目前工 SiC材料的工业制备方法及其进展 豆丁网
高纯SiC微粉制备进展
2020年6月25日 摘要： 综述了高纯SiC微粉主要制备工艺,介绍了近些年SiC微粉除杂提纯工艺新进展,提出未来高纯SiC微粉制备工艺应不断更新升级,产业化生产技术和装备也需要 该 气流粉碎分级机 的粉碎机理决定了其适用范围广、成品细度高等特点，典型的物料有：超硬的金刚石、碳化硅、金属粉末等，高纯要求的： 陶瓷色料、医药、生化等，低温要求 碳化硅超微粉碎机百度百科
SiC微粉碎的有限元分析与模拟,Journal of Nanomaterials XMOL
2015年7月27日 碳化硅（SiC）的应用通常因其加工效率低和研磨过程结果的不确定性而受到限制。 本文的目的是建立关于SiC微细磨削过程的有限元分析模型（FEM），研究切 2024年3月17日 重量 1kg 日本进口干卧式连续超细干式粉碎机MYD型 连续介质搅拌式干式粉碎机，可节省空间，劳力和能源 一种高效的连续式干式粉碎机，它基于干式研磨机中培养的技术成功进行了连续设计。 与气流粉碎机和精细粉碎机相比，不需要附加设备，例如旋 日本进口干卧式连续超细干式粉碎机MYD型 超微粉碎机秋山
SiC粉体制备技术的研究进展 豆丁网
2011年11月3日 改进的机械粉碎法工艺简单、粉体分布窄、质量稳定、效率高,适合工业化生产并且环境污染少,可有效制备微米SiC粉,但考虑到经济和设备方面的因素,目前该法仍难以制 溶胶2凝胶法Sol2gel法早期主要用于制备氧化物超细陶瓷粉末,通常的起始材料都是金属醇盐。2020年1月15日 向粉碎法制备的Bi 05 Sb 15 Te 3 +5%Te（质量分数）合金粉体中混入不同体积分数的SiC颗粒，利用放电等离子体烧结法制备SiC复合块体材料，探究块体材料组织和热电性能的变化规律。 研究发现：随着SiC体积分数的增加，块体材料的取向性弱化，组织 SiC对粉碎烧结法制备P型Bi 05 Sb 15 Te 3 合金热电性能的影响
SiC生产过程 Fiven
SiC可以生产为黑色或绿色，这取决于原材料的质量。 经过一段时间的冷却，SiC锭被准确地分类，并进一步加工成不同的应用。 碳化硅粗料被仔细粉碎、分类，有时再次碾磨，并选择进行化学处理，以获得它将被应用的特定特性。 碳化硅的特性 碳化硅是一种 用途 高纯氧化铝的亚微米解碎，氮化硅的亚微米粉碎、点熔氧化铝的亚微米粉碎、钛酸钡、PZT的亚微米粉碎，其他陶瓷的亚微米粉碎，SiC的微粉碎、硬铁氧体的12nm的粉碎、氧化铁的微粉碎、碳的微粉碎、氮化硼的微粉碎、矿石的微粉碎、金属粉的微粉碎、软铁氧化的分散、其他材料的干式粉碎。卧式连续干式微粉碎机( MYD型） 朝鹰国际贸易（上海
机械粉碎法制备βSiC纳米粉体及其特性分析中国粉体技术
2021年5月7日 结果表明：机械粉碎法适合制备粒径小于200 nm的βSiC纳米产品，产品粒度最小可达30 nm;砂磨时间越长，产物粒度越细，粒度分布越窄，产品的球形度越好；βSiC衍射峰强度随粒径的减小而减小，峰形宽化明显，晶格结构出现由单晶向多晶的转变，并于颗粒SiC粉体的表面改性碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。2问题：经机械粉碎后的SiC粉体形状不规则，且由于应结束后，产物趁热真空抽滤，经多次超声分散(超声介质为水、丙酮；时间为30 min)、离心洗涤(介质：水、丙酮；时间：25 min) 后，于105 SiC粉体的表面改性 百度文库
氮化铝/碳化硅复合材料的制备及应用（AIN/SiC）UDP糖
2021年3月25日 对于 AIN/SiC 复合粉体的制备，可归纳为以下几个途径。(1 ）粉碎法。粉碎法制备 AIN/SiC 复合陶瓷材料**粉体可分为传统工艺与新型工艺。传统工艺采用的手段包括机械球磨粉碎、爆炸反应等。机械粉碎法制备 AlN/SiC 复合材料粉体的工艺成本较低，工艺操作2022年8月30日 一般磨盘约有40%的气孔率。 若原料为生食的情况下、特别是肉汁之类的蛋白质一旦入侵其气孔中、将会成为数千亿个巨大细菌的温床。 另外、由于受到气孔的影响、也会经常引起磨盘的破裂。 在这方面，无气孔磨盘可以完全防止细菌污染和磨盘破损、即 粉碎用的特殊磨盘
高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述百度文库
高纯碳化硅粉体合成方法 研究现状综述 安振华 / 文 【摘要】SiC 粉体的纯度对生长 SiC 单晶晶体质量有重要影响。 本文介绍了 SiC 粉体的多种合成 方法，并主要阐述了高纯 SiC 粉体的两种合成方法，最后对高纯 SiC 粉体的合成工艺进行了展望。 【关键词 2020年4月8日 李冠姝 SiC基复合材料的制备及其高温力学性能研究[D] 哈尔滨: 哈尔滨工业大学, 2019 LI G S The produced process and the hightemperature mechanical properties of SiC matrix composite [D] Harbin: 高温空气下C/SiC复合材料断裂韧性实时测试和微观
砂磨粉碎制备SiC超细粉体 百度学术
摘要： 砂磨粉碎是制备超细陶瓷粉体的有效途径之一,避免了传统球磨,酸洗工艺对环境的污染本文采用砂磨粉碎工艺制备SiC超细粉体,研究了砂磨粉碎制备过程中料浆固含量,球料比和砂磨时间等工艺条件对粉体尺寸和尺寸分布的影响,在一定工艺条件下,将中位粒径为73μm的高纯SiC粗粉砂磨粉碎18hr 物理气相传输法制备碳化硅晶体的工艺研究 碳化硅 (SiC)是一种具有高电场击穿强度的半导体材料,这使得SiC在高功率、高温度器件方面有广阔的应用前景。 近期SiC器件的发展主要依赖于大尺寸高质量的SiC晶体外延生长,目前SiC晶体的生长主要使用籽晶外延的升华 物理气相传输法制备碳化硅晶体的工艺研究 百度学术
常压高温固相反应制备SiC陶瓷粉体的研究进展
2022年8月30日 本文以碳化硅材料为主体，综述了目前碳化硅生产的主要方法。 重点结合常压高温固相反应体系下，基于气液固（VLS）机制以及气固（VS）机制生长机理探讨了温度、原料、催化剂、气体过饱和度等因素对碳化硅陶瓷粉体制备过程中的具体影响。 实现 2016年6月14日 实现Si 和C 的充分反应，得到平均粒径约为100 nm 的SiC 微粉，且SiC 的生成率达到95% 以 上。此外，本文还对Si 和C 的固相反应扩散机制进行了初步探索。 关键词：微波合成；βSiC；微粉；物相分析；扩散机制 碳化硅微粉是一种重要的无机非金属 硅粉与碳黑微波合成碳化硅微粉
SiC粉体的表面改性 百度文库
经机械粉碎后的SiC 粉体形状不规则，且由于 艺制取含有混合均匀的Si和C的凝胶,然后进行热解以及高温碳热还原而获得碳化硅的方法。Limin Shi等以粒径9415μm的SiO2为起始原料,利用溶胶凝胶法在其表面包覆一层酚醛树脂,通过热解然后1500 ℃于Ar气氛下进行 2020年7月20日 碳化硅的制备方法 碳化硅粉体制备工艺有多种，各种合成方法中碳热还原法所需的原料价格较低、生产的产品质量合格率较高、可以大批量的生产，在碳化硅的制备领域占据着重要地位。 碳化硅粉体的制备方法有多种，按初始原料的物质状态大致可分为固相 碳化硅的制备方法
知乎专栏
本文介绍了半导体高纯碳化硅(SiC)粉料的合成方法及工艺，分析了CVD法和改进的自蔓延合成法的优缺点，为SiC 2022年9月16日 针对硬脆材料的硬度高，传统的碳化硅磁性磨料研磨效率低、磨料寿命短等问题，开发以金刚石颗粒作为研磨相的磁性磨料。以高纯铁粉为铁基相，金刚石为研磨相，采用树脂黏结法制备金刚石磁性磨料。以K9玻璃为加工对象，比较金刚石磁性磨料和碳化硅磁性磨料磁力研磨K9玻璃时的使用寿命和 金刚石磁性磨料与SiC磁性磨料的研磨加工性能分析
碳化硅超微粉碎机百度百科
碳化硅超微粉碎机 播报 讨论 上传视频 用于粉碎物料的机器 压缩空气 由流化床四周相对的超音速喷管加速后进入 流化床 ，在流化床粉碎机内相互撞击形成粉碎腔。 物料由加料口进入流化床粉碎机内，在气流的带动下，物料于粉碎腔中部相互碰撞、摩擦而 2014年7月2日 SiC粉体制备技术的研究进展时利民(清华大学核能与新能源技术研究院,北京)摘要作为一种新型的精细陶瓷SiC材料以其优异的物理化学性能而日益受到重视,其中SiC粉体的制备方法及性能是影响SiC陶瓷材料性能的主要因素。综述了SiC粉体的制备方法及其最近研究进展,详细介绍了碳热还、机械粉碎法 SiC粉体制备技术的研究进展 豆丁网
流化床气流磨粉碎制备超细SiC片晶的实验研究中国粉体技术
2024年1月29日 摘要： 超细SiC片晶由于其高强度、高弹性模量和导热系数已成为替代价值昂贵、制备技术复杂SiC晶须的理想的增韧材料。 本文中通过对流化床气流磨粉碎机理,以及粉碎腔内工质压强与喷嘴个数对SiC颗粒形貌影响的研究,得出工质压强、喷嘴个数等参数对粉碎的颗粒形貌有很大的影响的结论,其中粉碎 2021年2月25日 为什么需要表面改性 据中国粉体网编辑了解，由于纳米级 碳化硅粉 体在超细粉碎的过程中，会受到不停地摩擦、冲击作用，一方面导致微粉的表面积累了大量的正负电荷，而这些带电粒子极其地不稳定， 碳化硅，为什么要把“表面工作”做好？要闻资讯中
碳化硅包覆工艺与氧化动力学的研究 百度学术
碳化硅包覆工艺与氧化动力学的研究 本文分别以硅微粉和硅溶胶引入SiO2包覆SiC粉体,进行SiC粉体的抗氧化性实验,并研究了包覆SiC粉体抗氧化动力学行为 在SiO2包覆SiC粉体抗氧化性实验中,分别考察了矿化剂,SiO2引入量,包覆次数,烧成等因素对包覆效果和红外辐射 2015年5月4日 流化床气流磨粉碎制备超细SiC片晶的实验研究流化床气流磨粉碎制备超细SiC片晶的实验研究(武汉理T大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,湖北武汉)摘要: 超细SiC片晶由于其高强度,高弹性模量和导热系数已成为替代价值昂贵,制备技术复杂SiC 流化床气流磨粉碎制备超细SiC片晶的实验研究 豆丁网
超微粉碳化硅是什么碳化硅超微粉碎设备山东埃尔派粉体科技
2020年12月9日 碳化硅又名碳硅石、金刚砂，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为 摘要： 砂磨粉碎是制备超细陶瓷粉体的有效途径之一,避免了传统球磨,酸 洗工艺对环境的污染本文采用砂磨粉碎工艺制备SiC超细粉体,研究了砂磨粉碎制备过程中料浆固含量,球料比和砂磨时间等工艺条件对粉体尺寸和尺寸分布的 影响,在一定工艺条件下,将中位粒径为73μm的高纯SiC粗粉砂磨粉碎18hr 砂磨粉碎制备SiC超细粉体 百度学术
流能粉碎用于吸收药制造工艺的研究硕士论文学位论文
本文对传统吸收工艺喷射吸收和间断吸收进行了分析，结合研制的流能粉碎机，提出并建立了一条流能粉碎吸收药制造新工艺。重点研究了以下三个方面的内容：采用新工艺制备SQ2双基推进剂，制备不同黑索今含量的改性双基推进剂，采用超细化黑索今制备吸收药；通过测试各种性能，对新2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 碳化硅百度百科
一种4HSiC及其超快速的制备方法和应用 X技术网
4 天之前 本发明属于sic材料高温制备，具体涉及一种hsic及其超快速的制备方法和应用。背景技术、sic材料具有密度低、硬度高、热导率高、禁带宽度大、载流子饱和迁移速度高和临界击穿场强高等诸多优异的性质，作为结构陶瓷材料以及半导体材料，已经应用于航天军工、热核能源、光电传输和大功率 2020年11月30日 高纯SiC粉料合成方法 目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有：CVD法和改进的自蔓延合成法（又称为高温合成法或燃烧法）。 其中CVD法合成SiC粉体的Si源一般包括硅烷和四氯化硅等，C源一般选用四氯化碳、甲烷、乙烯、乙炔和丙烷等，而二甲基二氯 碳化硅单晶生长的关键原材料：高纯SiC粉料的合成方法及工艺
碳化硅单晶生长的关键原材料：高纯SiC粉料的合成方法及工艺
2020年11月30日 高纯SiC粉料合成方法 目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有：CVD法和改进的自蔓延合成法（又称为高温合成法或燃烧法）。 其中CVD法合成SiC粉体的Si源一般包括硅烷和四氯化硅等，C源一般选用四氯化碳、甲烷、乙烯、乙炔和丙烷等，而二甲基二氯 2020年8月21日 一、SiC粉体合成方法 SiC粉体的合成方法多种多样，总体来说，大致可以分为三种方法。 种方法是固相法，其中具有代表性的有碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法;第二种方法是液相法，其 高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学
立方碳化硅百度百科
立方碳化硅又名βSiC，属立方晶系（金刚石晶型）。βSiC在高级 结构陶瓷、功能陶瓷 及高级耐火材料市场有着非常广阔的应用前景。 普通 碳化硅陶瓷 在烧结过程中需要2300℃、2400℃、2500℃，加添加剂后也仍需2100℃才可结晶，而βSiC在1800℃即可结晶，并且在βSiC晶型转换过程中，其体积也会发生 向粉碎法制备的Bi 05 Sb 15 Te 3 +5%Te（质量分数）合金粉体中混入不同体积分数的SiC颗粒，利用放电等离子体烧结法制备SiC复合块体材料，探究块体材料组织和热电性能的变化规律。研究发现：随着SiC体积分数的增加，块 SiC对粉碎烧结法制备P型Bi 05 Sb 15 Te 3 合金热电性能的影响
我国粉碎设备的现状及发展方向粉体资讯粉体圈
2014年11月22日 提高粉碎腔内的工质压强可增加粉碎强度;粉碎腔内采用两个喷嘴以增加颗粒互相撞击的机率是制备片状SiC粉的有效方法。 采用流化床式气流磨加多级涡轮分级机的粉碎系统，可以制备产品质量较好的多级别超细SiC片晶微粉。2022年5月6日 种早期开发的气流粉碎机，是一种利用颗粒间及颗 粒与粉碎腔的内壁的碰撞、剪切、摩擦而实现粉碎 的设备。它的主要部件是一个圆盘粉碎腔，布置在 喷射环上与粉碎腔平面成一定角度的若干个(6～24 个)高压工质喷嘴，喷射式加料器、成品捕集器等。【加工技术及设备】 气流粉碎设备的发展
郑州千磨谈：半导体加工领域里线锯在碳化硅晶圆加工中有
2023年9月2日 1、节选自《线锯切片技术及其在碳化硅晶圆加工中的应用》 2、超硬材料综合网 3、郑州千磨材料科技有限公司官网 本文禁止转载或摘编 单晶硅 线锯 碳化硅 碳化硅晶圆 单晶SiC 4H碳化硅 (4HSiC)具有禁带宽度大、击穿场强高、电子迁移率高、热导率高、耐 2017年1月11日 摘要 ：Ti 3 SiC 2 是一种新型的金属陶瓷材料，该材料兼具金属与陶瓷材料的双重性能，具有良好的导电性、导热性、加工性、耐腐蚀性与高温抗氧化性，同时该材料还具有超低的摩擦因数基于其独特性能，大量科研工作开始投入到使用Ti 3 SiC 2 代替石墨制备 Ti 3 SiC 2 代替石墨金属基自润滑材料研究进展
日本进口干卧式连续超细干式粉碎机MYD型 超微粉碎机秋山
2024年3月17日 重量 1kg 日本进口干卧式连续超细干式粉碎机MYD型 连续介质搅拌式干式粉碎机，可节省空间，劳力和能源 一种高效的连续式干式粉碎机，它基于干式研磨机中培养的技术成功进行了连续设计。 与气流粉碎机和精细粉碎机相比，不需要附加设备，例如旋 2011年11月3日 改进的机械粉碎法工艺简单、粉体分布窄、质量稳定、效率高,适合工业化生产并且环境污染少,可有效制备微米SiC粉,但考虑到经济和设备方面的因素,目前该法仍难以制 溶胶2凝胶法Sol2gel法早期主要用于制备氧化物超细陶瓷粉末,通常的起始材料都是金属醇盐。SiC粉体制备技术的研究进展 豆丁网
SiC对粉碎烧结法制备P型Bi 05 Sb 15 Te 3 合金热电性能的影响
2020年1月15日 向粉碎法制备的Bi 05 Sb 15 Te 3 +5%Te（质量分数）合金粉体中混入不同体积分数的SiC颗粒，利用放电等离子体烧结法制备SiC复合块体材料，探究块体材料组织和热电性能的变化规律。 研究发现：随着SiC体积分数的增加，块体材料的取向性弱化，组织 SiC可以生产为黑色或绿色，这取决于原材料的质量。 经过一段时间的冷却，SiC锭被准确地分类，并进一步加工成不同的应用。 碳化硅粗料被仔细粉碎、分类，有时再次碾磨，并选择进行化学处理，以获得它将被应用的特定特性。 碳化硅的特性 碳化硅是一种 SiC生产过程 Fiven
卧式连续干式微粉碎机( MYD型） 朝鹰国际贸易（上海
用途 高纯氧化铝的亚微米解碎，氮化硅的亚微米粉碎、点熔氧化铝的亚微米粉碎、钛酸钡、PZT的亚微米粉碎，其他陶瓷的亚微米粉碎，SiC的微粉碎、硬铁氧体的12nm的粉碎、氧化铁的微粉碎、碳的微粉碎、氮化硼的微粉碎、矿石的微粉碎、金属粉的微粉碎、软铁氧化的分散、其他材料的干式粉碎。2021年5月7日 结果表明：机械粉碎法适合制备粒径小于200 nm的βSiC纳米产品，产品粒度最小可达30 nm;砂磨时间越长，产物粒度越细，粒度分布越窄，产品的球形度越好；βSiC衍射峰强度随粒径的减小而减小，峰形宽化明显，晶格结构出现由单晶向多晶的转变，并于颗粒机械粉碎法制备βSiC纳米粉体及其特性分析中国粉体技术
SiC粉体的表面改性 百度文库
SiC粉体的表面改性碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。2问题：经机械粉碎后的SiC粉体形状不规则，且由于应结束后，产物趁热真空抽滤，经多次超声分散(超声介质为水、丙酮；时间为30 min)、离心洗涤(介质：水、丙酮；时间：25 min) 后，于105 2021年3月25日 对于 AIN/SiC 复合粉体的制备，可归纳为以下几个途径。(1 ）粉碎法。粉碎法制备 AIN/SiC 复合陶瓷材料**粉体可分为传统工艺与新型工艺。传统工艺采用的手段包括机械球磨粉碎、爆炸反应等。机械粉碎法制备 AlN/SiC 复合材料粉体的工艺成本较低，工艺操作氮化铝/碳化硅复合材料的制备及应用（AIN/SiC）UDP糖
粉碎用的特殊磨盘
2022年8月30日 一般磨盘约有40%的气孔率。 若原料为生食的情况下、特别是肉汁之类的蛋白质一旦入侵其气孔中、将会成为数千亿个巨大细菌的温床。 另外、由于受到气孔的影响、也会经常引起磨盘的破裂。 在这方面，无气孔磨盘可以完全防止细菌污染和磨盘破损、即 高纯碳化硅粉体合成方法 研究现状综述 安振华 / 文 【摘要】SiC 粉体的纯度对生长 SiC 单晶晶体质量有重要影响。 本文介绍了 SiC 粉体的多种合成 方法，并主要阐述了高纯 SiC 粉体的两种合成方法，最后对高纯 SiC 粉体的合成工艺进行了展望。 【关键词 高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述百度文库